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美高森美公布用于高压工业应用的立异SiC MOSFET系列 继续连结在碳化硅解决方案范围的向导地位

发布者: 乐虎手机版  时间:2019-04-02 15:49


全新的1700V SiC肖特基二极管将产品线扩展至1200V和650V以上,另外,从2015年至2020年,新的功率模块具有更高的事情频率并汲引了体系效率,SiC功率半导体市场的同比增长率将到达39%,为客户供给立异的大功率解决方案,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。

新型SiC MOSFET器件 全新SiC MOSFET器件采用来自美高森美的专利手艺,乐虎手机版,最大限度减小开关能耗 - 超卓的最大开关频率 - 卓越的稳定性和超卓的短路耐受性 美高森美功率产品组总司理Marc Vandenberg表示:美高森美的1200V SiC MOSFET创建了全新的机能基准, 新型1700V肖特基二极管 美高森美的 SiC MOSFET器件也与公司完备的SiC肖特基二极管产品系列相辅相成,继续扩大SiC产品组合,如今也供给SiC MOSFET功率模块和1700V肖特基二极管产品,用于电池充电、航空航天、太阳能、焊接和其它大功率工业应用, 本文引用地点: 美高森美拥有使用SiC半导体市场增长的良好前提,并将于2014年7月供给SOT-227封装型款,乐虎手机版官网,在室外和湿润应用中实现稳健性, 美高森美的专利 SiC MOSFET手艺特征包括 : - 同级最佳的RDS(on)比拟温度 - 超低栅极电阻。

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的额定电阻为 80m和 50m,乐虎手机版中心, 致力于供给功率、平安、可靠与高机能半导体手艺方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation。

这些产品设计利用超卓的钝化手艺, ,并且Market Research预计SiC半导体市场将于2022年到达53亿美元。

出格设计以帮助客户斥地在更高频率下运行并汲引体系效率的解决方案,通过同时供给行业尺度TO-247和SOT-227封装,可为客户供给更多的斥地机动性 : - APT40SM120B 1200V、80m、40A、TO-247 封装 - APT40SM120J 1200V、80m、40A、SOT-227封装 - APT50SM120B 1200V、50m、50A、TO-247封装 - APT50SM120J 1200V、50m、50A、SOT-227封装 新型SiC MOSFET功率模块 美高森美SiC MOSFET还可以集成进公司扩展的MOSFET功率模块中,同比增长率38%,这系列立异SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。

据市场研究机构Yole Dveloppement预计, 供货 美高森美现已供给采用TO-247封装的新型1200V SiC MOSFET器件,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide。

我们使用公司内部的SiC制造能力,。




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